エルフラAdv.

ヴァイス情報

特徴

特殊宙域などで出現する強化型エルフラ。
HPも多く中ボスの立ち位置。

攻撃

共通

出現と同時に6体の子機を生成し、多彩な誘導弾で攻撃する。
誘導弾には毒状態を付与する攻撃もあり厄介。
ただし、本体の旋回性能は低いため、距離を取られても直ぐに接近し、
正面以外に回り込んでクロスで攻撃し続ければ、スタンさせて一方的に殴ることも可能。

前半

(HP 80%以上？)

• 1. 3way弾
  • 本体の周囲に子機が六角形状に配列。
    本体が3way弾を３連射。その後、各子機が単発誘導弾を発射。
  • 対策: 横移動で回避。
• 2. 誘導弾超連射
  • 本体の周囲に子機が六角形状に配列。
    本体が低速誘導弾を超連射する(猛毒付与)。同時に子機も誘導弾で攻撃する。
    本体の攻撃の詳細は次の通り。
    1. 正面に誘導弾10連射
    2. 正面に誘導弾4連射
    3. 上方に誘導弾4連射
    4. 正面に誘導弾16連射?
  • 対策: 最も危険な攻撃。慣れないうちは回避に徹すると良い。
    横ブーストを続けるだけでは、攻撃後半に被弾することがある。
    少し斜めに前後ブーストすると回避しやすい。

後半

(HP 80%以下)

• 1. 誘導弾超連射
  • 前半と同様。
    後半は攻撃パターンが増えるので、その分この攻撃を行う頻度が下がる。
• 2. 子機レーザー突進
  • 子機がレーザーを発射しながら、次々と突進する。
  • 対策: 基本的に少し横移動すれば回避可能。
• 3a. 通常弾並列発射
  • 本体と子機がアーチ状に配列。
    子機が正面に通常弾を連射。同時に本体が低速誘導弾を6発同時発射(猛毒付与)。
  • 対策: 横ブーストで範囲外に逃げる。
    低速誘導弾の前後は攻撃のチャンス。
• 3b. レーザー並列発射
  • 本体と子機が横一直線状に配列。
    本体と子機が正面にレーザーを発射する。2回攻撃する。
    1回目は、本体から見て右の子機から順にレーザーを発射する。
    2回目は、本体から見て左の子機から順にレーザーを発射する。
  • 対策: 背面に回り込む。回り込んだ後は攻撃のチャンス。

立ち回り
誘導弾超連射に注意。
他の攻撃は隙が大きく攻撃のチャンス。

対策など

他情報

ヴァイス生態

これくしょん

小ネタ

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